Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости

Физика узкощелевых полупроводников

Руководитель группы

Профессор, Скипетров Евгений Павлович

Главные направления исследования

  • Перспективные материалы для оптоэлектроники и спинтроники;
  • Глубокие и резонансные уровни дефектов и примесей в полупроводниках А4В6;
  • Перестройка электронной структуры при вариации состава твердых растворов;
  • Спектроскопия глубоких и резонансных уровней с помощью давления;
  • Гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства легированных полупроводников А4В6;
  • Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников А4В6;

Сотрудники

Инструменты исследования

  • автоматизированная установка для исследования гальваномагнитных эффектов в слабых магнитных полях (до 0.1 Тл) в диапазоне температур 4.2-300 К в условиях экранировки образцов от фонового излучения и контролируемой инфракрасной подсветки тепловым источником излучения;
  • установка для исследования кинетики фотопроводимости в диапазоне температур 4.2-80 K в условиях контролируемой ИК подсветки светодиодом или тепловым источником излучения;
  • установка для исследования магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова-де Гааза в магнитных полях до 8 Тл в диапазоне температур 2-30 К;
  • оборудование для создания и измерения высоких давлений до 18 кбар при гелиевых температурах;
  • автоматизированная установка для измерения температурных зависимостей теплоемкости (низкотемпературный адиабатический микрокалориметр ЗАО «Термис», Россия) в диапазоне температур 6-300 К.

Фотография группы

группа Физика узкощелевых полупроводников

Публикации

  1. Skipetrov E.P., Golubev A.V., Pichugin N.A., Plastun A.A., Dmitriev N.N., Slyn’ko V.E. Resonant impurity states in PbTe-based alloys doped with gallium and chromium under pressure. Phys. Stat. Sol. (b), 2007, v.244, N1, p.448-452.
  2. Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением. ФТП, 2007, т.41, в.2, с.149-153
  3. Скипетров Е.П., Пакпур Ф.А., Пичугин Н.А., Слынько В.Е. Переход металл-диэлектрик в сплавах Pb1-xGexTe, легированных хромом. ФТП, 2007, т.41, в.9, с.1053-1058.
  4. Skipetrov E.P., Plastun A.A., Topchevskaya T.A., Kovalev B.B., Pichugin N.A., Slyn’ko V.E. Insulator-metal transition in Pb1-xGexTe doped with chromium under pressure. J. Phys.: Conf. Ser., 2008, v.121, 032003.
  5. Skipetrov E.P., Kovalev B.B, Skipetrova L.A., Pichugin N.A., Slyn’ko E.I., Slyn’ko V.E. Electronic structure of diluted magnetic semiconductors Pb1-x-yGexCryTe under pressure. Phys. Stat. Sol. (b), 2009, v.246, N3, p.576-580.
  6. Скипетров Е.П., Михеев М.Г., Пакпур Ф.А., Скипетрова Л.А., Пичугин Н.А., Слынько Е.И., Слынько В.Е. Ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках Pb1-x-yGexCryTe. ФТП, 2009, т.43, в.3, с.316-323.
  7. Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Golovanov A.N., Pichugin N.A., Primenko A.E., Savelieva O.A., Zlomanov V.P., Vinokurov A.A. Magnetic properties of diluted magnetic semiconductors Pb1-xVxTe. Solid State Phenom., 2009, v.152-153/, p.291-294.
  8. Skipetrov E.P., Mikheev M.G., Pichugin N.A., Kovalev B.B., Skipetrova L.A., Slynko E.I., Slynko V.E. Ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors Pb1-x-yGe>xCryTe. Solid State Phenom., 2009, v.152-153, p.295-298.
  9. Skipetrov E.P., Golovanov A.N., Zvereva E.A., Slyn’ko E.I., Slyn’ko V.E. Vanadium-induced deep impurity level in Pb1-xSnxTe. Physica B, 2009, doi:10.1016/j.physb.2009.08.263.
  10. Skipetrov E.P., Pichugin N.A., Kovalev B.B., Slyn’ko E.I., Slyn’ko V.E. Electronic structure of diluted magnetic semiconductors Pb1-x-ySnxCryTe. Physica B, 2009, doi:10.1016/j.physb.2009.08.288.